【要闻】中芯国际N+1工艺成功流片 告别光刻机的时代来了？

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(记者陈洲)据中关村在线相关报道，芯动科学技术11日宣布，完成了世界上第一个基于中芯国际finfet n+1先进技术的芯片流程和测试，所有ip均为自主国产，功能一次也未通过测试。 另外，据ITHome(IT之家) 10月12日的新闻报道，n+1工艺在功率和稳定性方面与7nm工艺非常相似，不需要euv光刻机。 该工艺与14nm相比性能提高了20%，但与更先进的7nm相比有部分差异 综上所述，确实令人振奋，但中芯国际技术其实不需要光刻机，可以避免荷兰asml企业euv光刻机的技术封锁 n+1工艺的实现正式宣布了“国产版”7nm芯片制造技术的突破 中心国际n+1工艺的芯片流片最近在中关村在线、ITHome(IT之家)等网站上完成了中国一站式ip和定制芯片公司的芯片动科学技术基于世界第一个中心国际n+1先进工艺的芯片流片和测试 中心联合国首席执行官梁孟松今年早些时候表明，n+1工艺在功率和稳定性方面与7nm工艺非常相似，不需要euv光刻机 该工艺与14nm相比，性能提高了20%，功耗降低了57%。 但是，与能够以更先进的7nm提高的35%的性能相比，还有进步的馀地 《珠海特区报》11日刊文——“国产核心”刻不容缓，芯动科学技术第一个基于核心国际先进技术的芯片流程和测试成功，不仅是拥有自主知识产权的“中国核心”打破了海外垄断，“国产版”7nm 这次突破意义重大，整个技术使用全国生产设备和技术完成，是打破海外技术封锁的飞速发展 中国制造商共同突破难关提到芯动科学技术，但有些人可能觉得不知道。 其名声不如中芯国际响亮 核心技术有限企业成立于2006年，是高端混合电路芯片设计企业，具有自主的全系列高带宽高性能计算ip技术，芯片先进技术多次填补了国内的空白 从年开始，芯动科学技术在中心国际n+1技术还不成熟的情况下，投入数千万元的设计优化，先完成了nto流片 基于n+1工艺的第一批芯片经过几个月以上的测试迭代，最近中心国际终于突破了n+1工艺的成品率瓶颈 据相关媒体报道，近年来，核心技术推出了中国标准的innolink chiplet高性能计算平台( cpu/gpu/npu )，用各finfet的先进技术定制了多个芯片，取得了全部成功 要构建“中国核心”的未来，不是需要中核国际和核心技术这一国内制造商合作，共同迅速发展，共同突破技术难关吗？ n+1过程真的能告别光刻机吗？ 需要证明的是，中心联合国首席执行官梁孟松表示，n+1的工艺无需euv光刻机就完成了。 这里只是不需要荷兰asml公司的euv光刻机，并不是完全不需要光刻机。 也就是说，在能够用其他光刻机完成该过程的同时，能够实现接近于用euv光刻机制作的7nm芯片的性能 事实上，有些资料表明，台湾积体电路制造的7nm工艺也不是使用euv光刻工艺 这里所说台湾积体电路制造的三次技术重复是指低功耗的n7、高性能的n7p、euv工艺的n7+。 n7和n7p都不需要采用euv光刻机，只在n7+以后转移到euv光刻工艺 也就是说，台湾积体电路制造在生产高通骁龙865、a14、麒麟990 5g等高端芯片的阶段之前，没有使用7nm euv的光刻技术 因此，即使没有euv光刻机，中心国际也同样能够进入7nm芯片的时代 用现在的中心国际工艺技术命名分解的话，n+1、n+2与台湾积体电路制造的n7和n7p工艺类似，这些不需要用euv光刻机完成，转移到n+2为止采用euv光刻工艺。 届时，会通过国内光刻机制造商的性能技术突破来实现吗？ 还是中心国际将为加工技术重新开辟新的道路？ 这取决于制造商和科学家们的研究开发进度 编末，另据集微网13日报道，位于烟台恒邦化学工业园的恒邦高纯度新材料项目即将进入带材试车阶段，年末，纯度达到7.5个的高纯度砷产品诞生后，成为中国的高端半 因此，比起梦想告别光刻机时代，只有切实加强国内制造商的合作，加快技术和材料行业的突破，国产芯片才能进入国际高端行列。