Intel研发周期放缓 台积电有望后来居上

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据外国媒体motely傻瓜报道，英特尔计划在2017年发布10纳米工艺芯片，取代自2015年以来一直沿用的14纳米芯片。

第七代微处理器架构kaby lake计划于今年晚些时候推出，这也将是采用14纳米工艺的最后一代芯片。从2017年到2019年，英特尔仍将推出三代10纳米芯片，也就是说，10纳米工艺仍将沿用三代14纳米工艺。

滴答周期已延长至2.5年。“为了更好地维护‘滴答’的发展战略，我们选择延长战略周期，这样我们就可以在每个流程节点获得更多的改进时间。这种优化确保我们能够为客户提供更可靠的芯片，并增强英特尔的竞争优势。这也是对“摩尔定律已死”的有力驳斥。最近两次技术升级表明，滴答周期已从两年延长至2.5年。”

近年来，英特尔遭遇了从22纳米到14纳米的转变。由于工艺难度的提高导致生产能力的预期不足，英特尔一直在积极推动10纳米芯片工艺的生产和开发进度，以确保坎农湖系列芯片在2017年及时上市。英特尔在前一份报告中表示，滴答周期已从两年延长至2.5年。

在布罗德韦尔之前，英特尔严格遵循滴答的发展战略周期，每一个“滴答”都代表着微处理器架构芯片工艺的改进；每次“tock”代表基于新一代芯片制造工艺升级微处理器架构。

然而，由于过程难度增加，这一发展战略正在逐渐放缓。英特尔正试图增加另一个“半库存”来补充库存，而第二个“库存”并不是一个巨大的微架构更新。

2014年——14纳米布罗德韦尔(tick)

2015年——14海里天湖

2016年—— 14nm kaby lake (tock)

2017年——10纳米坎农湖(tick)

2018——10纳米冰湖

2019年——10纳米老虎湖

2020 —— 7 nm tbd(刻度)

2021—7nm TBD(tock)

2022 —— 5 nm tbd(刻度)

以14纳米工艺芯片家族为例，broadwell将英特尔芯片带入了14纳米工艺时代，而skylake带来了架构性能的提升，即将推出的kaby lake是14纳米工艺芯片的第二次架构提升。

据英特尔官员称，为了保持这一发展进程，英特尔计划在2016年下半年开始生产第三代14纳米工艺芯片，代号为kaby lake，这将进一步提高基于skylake微体系结构的性能。

在10纳米工艺上，英特尔将重新引入受到批评的fivr技术。2017年下半年，英特尔计划推出第一代10纳米芯片，代号为坎农湖。三代产品的变化可以确保英特尔顺利过渡到10纳米工艺。此外，坎农湖将于2017年第二季度发布的消息已经得到官方证实。

此外，motely的《傻瓜报告》还显示，英特尔将于2018年推出第二代10纳米处理器冰湖，并于2019年推出第三代10纳米处理器老虎湖。

尽管坎农湖将把这一过程拉至10纳米，但大部分建筑仍将与卡布湖相同。10纳米工艺的真正力量将在新的微处理器架构冰湖上爆发。

虽然目前我们对冰湖的了解还不多，但之前的报道显示，英特尔将把哈斯威尔的fivr(完全集成电压调节模块)放回其中。

理论上，虽然内置的fivr会增加部分芯片面积，但电压控制会更精确，从而实现更大的功耗节省，但这并没有反映在haswell中，因为fivr的增加，tdp(热设计功耗)并没有降低，而是从上一代的77w进一步增加到84w。

然而，英特尔显然没有放弃fivr技术。英特尔似乎有可能将成熟的fivr技术重新引入10纳米芯片。

在10纳米工艺节点，老虎湖架构将成为英特尔的第二个“库存”。尽管代号“老虎湖”在之前的报告中从未提及，但它表明英特尔将在10纳米工艺节点上继续使用它三代。

滴答可能面临TSMC的技术挑战

然而，如果英特尔真的想按照这一发展战略缓慢升级其技术，TSMC的“2017年达到7纳米技术节点，2020年达到5纳米技术节点”的战略计划显然比英特尔更乐观。

“预计TSMC将在2018年上半年开始生产7纳米工艺芯片。不仅如此，我们还在极紫外光刻技术(euv)方面取得了重大突破，并有可能应用于5纳米工艺。”

——TSMC联合首席执行官刘德

据英特尔官员称，如果硅在5纳米节点仍然是一种可行的微处理器材料，英特尔将在2020年开始开发5纳米工艺的芯片，我们最早要到2022年才会看到这种芯片。

然而，许多业内人士表示，硅不会是5纳米芯片上最具成本效益的材料，而且已经有许多物质有望取代硅成为新一代芯片原材料，如碳纳米管。因此，英特尔的这个前提有点耐人寻味。